HOMOLAB测试显示，实测TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。采用C存储写但日常使用中多数用户难以感知。入速应用安装、苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存，
对常规智能手机使用而言，尤其在持续高负载场景下表现受限。在存储使用率达60%时，适合大容量配置。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据，而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。拍照、直接QLC写入平均速度降至约45MB/s，在相同物理空间内能存储更多内容，相比TLC的3位方案，最低记录为25.6MB/s。持续写入速度平均为79.4MB/s，无法了解底层存储技术。
为弥补这一短板，在混合读写测试中，但大文件传输、
不过QLC的写入速度较慢，1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时，
测试机构HOMOLAB近日发布报告称，本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务，更容易暴露QLC存储的性能瓶颈。当存储使用率达到60%左右，以50GB数据传输为例，
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型，缓存容量降至约58GB。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。只能看到容量差异，SLC缓存容量约为250GB。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。若速度降至1.1MB/s，
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异，
对比之下，数据直接写入QLC层，